特許
J-GLOBAL ID：200903044649743471

半導体製造装置およびデバイス製造方法

発明者：
島崎 将俊

島崎 将俊 について

, 
出口 信吉

出口 信吉 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 哲也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-343231
公開番号（公開出願番号）：特開2005-109333
出願日： 2003年10月01日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：
【課題】投影像のディストーションを最小限にし、不良製品、不良素子の製造を未然に防ぐようにする。【解決手段】 レチクルを保持するレチクルホルダを有するレチクルステージと、レチクル上に描写されたマークの位置またはレチクルの平面度を測定する計測手段とを備え、この計測手段によって、前記レチクルを前記レチクルホルダにて保持する前および後の前記レチクルのマークの位置またはレチクル平面度を測定し、そのレチクルの変形量を求め、本変形から発生する投影像のディストーションを最小に抑えるように補正を行う。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
レチクルを保持する保持機構を備えた半導体製造装置において、前記レチクル上に描写されたマークの位置を計測する計測手段と、該計測手段によって、前記レチクルを前記保持機構にて保持する前および保持した後の前記レチクルのマークの位置を計測し、該計測したデータを処理する手段とを備えたことを特徴とする半導体製造装置。
IPC (6件)：
H01L21/027 ,  G01B11/00 ,  G01B11/16 ,  G01B11/30 ,  G01B21/00 ,  G03F9/00
FI (7件)：
H01L21/30 515F ,  G01B11/00 C ,  G01B11/16 Z ,  G01B11/30 101A ,  G01B21/00 D ,  G03F9/00 H ,  H01L21/30 516A
Fターム (47件)：
2F065AA03 ,  2F065AA07 ,  2F065AA24 ,  2F065AA47 ,  2F065AA65 ,  2F065BB02 ,  2F065CC18 ,  2F065EE08 ,  2F065FF04 ,  2F065FF09 ,  2F065FF43 ,  2F065HH12 ,  2F065JJ03 ,  2F065JJ05 ,  2F065JJ08 ,  2F065JJ09 ,  2F065MM03 ,  2F065PP12 ,  2F065QQ03 ,  2F065QQ25 ,  2F065RR07 ,  2F065RR09 ,  2F065UU05 ,  2F069AA03 ,  2F069AA06 ,  2F069AA42 ,  2F069AA54 ,  2F069BB40 ,  2F069CC06 ,  2F069DD12 ,  2F069DD30 ,  2F069EE20 ,  2F069EE22 ,  2F069GG04 ,  2F069GG07 ,  2F069GG45 ,  2F069JJ14 ,  2F069JJ26 ,  2F069KK10 ,  5F046BA04 ,  5F046CB17 ,  5F046CC02 ,  5F046CC09 ,  5F046CC11 ,  5F046DA06 ,  5F046DA13 ,  5F046FC04
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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