特許

J-GLOBAL ID：200903044650788233

レジストパターン形成用処理液及びレジストパターン形成方法

発明者： 富山 英昇 ,  畠山 晴夫
出願人/特許権者： ソマール株式会社
代理人 (1件)： 池浦 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-060541
公開番号（公開出願番号）：特開2000-321789
出願日： 2000年03月06日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：

【要約】【課題】 スチレンとハロベンゾイルオキシアルキルメタクリレート及び/又はハロベンゾイルオキシヒドロキシアルキルメタクリレートとからなる共重合体Aのフィルムに形成した潜像を現像させてレジストパターンを形成するために用いられる現像液において、安全性の高められた高性能の現像液を提供するとともに、それを用いるレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】 共重合体Aのフィルムに形成された潜像を現像させてレジストパターンを形成するために用いられる現像液であって、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、酢酸アミル及び酢酸ブチルの中から選ばれる少なくとも1種の溶剤を主成分とし、該共重合体に対する貧溶剤を補助溶剤とすることを特徴とするレジストパターン形成用現像液。

請求項（抜粋）：

スチレンとハロベンゾイルオキシアルキルメタクリレート及び/又はハロベンゾイルオキシヒドロキシアルキルメタクリレートとからなる共重合体のフィルムに形成された潜像を現像させてレジストパターンを形成するために用いられる現像液であって、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、酢酸アミル及び酢酸ブチルの中から選ばれる少なくとも1種の溶剤を主成分とし、該共重合体に対する貧溶剤を補助溶剤とすることを特徴とするレジストパターン形成用現像液。

IPC (4件)：

G03F 7/32 ,  G03F 7/32 501 ,  G03F 7/038 505 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 7/32 ,  G03F 7/32 501 ,  G03F 7/038 505 ,  H01L 21/30 569 E ,  H01L 21/30 569 F

Fターム (22件)：

2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC07 ,  2H025BD38 ,  2H025BD43 ,  2H025BD47 ,  2H025FA15 ,  2H025FA16 ,  2H096AA25 ,  2H096BA06 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096EA06 ,  2H096EA07 ,  2H096EA08 ,  2H096GA04 ,  2H096GA18 ,  5F046LA12 ,  5F046LA14