特許
J-GLOBAL ID：200903044652879791
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-001441
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190859
出願日： 1992年01月08日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：
【要約】【構成】第1導電型の半導体膜上にコンタクトを介して形成され、コンタクトから一定の距離をおいた一部の濃度が薄い第2導電型の半導体膜において第2導電型不純物濃度が第1導電型の不純物濃度より高いことを特徴とする。【効果】不純物濃度が薄い部分に下層半導体膜の不純物が沸き上がってくるのを防ぐ。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された第1絶縁膜、前記第1絶縁膜上に形成された第1導電型の第1半導体膜、前記第1導電型半導体膜上に形成され一部開孔された第2絶縁膜、前記開孔部の露出した第1半導体膜上及び前記第2絶縁膜上に形成され前記開孔部から一定の距離をおいた一部に第1導電型または第2導電型の不純物濃度が薄い部分が存在する第2導電型の第2半導体膜からなる半導体装置において、前記第2半導体膜の第2導電型の不純物濃度が前記第1半導体膜の第1導電型不純物の濃度より高いことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 311 X
, H01L 27/10 381
