特許

J-GLOBAL ID：200903044657347496

酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法

発明者： 吉田 誠人 ,  寺崎 裕樹 ,  松沢 純
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-258780
公開番号（公開出願番号）：特開平10-106992
出願日： 1996年09月30日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：

【要約】【課題】 SiO2絶縁膜等の被研磨面を平坦に研磨する酸化セリウム研磨剤を提供する。【解決手段】 TEOS-CVD法で作製したSiO2絶縁膜を形成させたSiウエハを、セリウム化合物水和物を400°C以上900°C以下で、かつ線速度1cm/min以上の空気及び/又は酸素ガスを導入し焼成して得られる酸化セリウム粒子を媒体に分散したスラリー研磨剤で研磨する。

請求項（抜粋）：

セリウム化合物水和物を400°C以上900°C以下で、かつ線速度1cm/min以上の空気及び/又は酸素ガスを導入し焼成して得られる酸化セリウム粒子を媒体に分散させたスラリーを含む酸化セリウム研磨剤。

IPC (4件)：

H01L 21/304 321 ,  B24B 37/00 ,  C01F 17/00 ,  C09K 3/14 550

FI (4件)：

H01L 21/304 321 P ,  B24B 37/00 H ,  C01F 17/00 A ,  C09K 3/14 550 D