特許

J-GLOBAL ID：200903044660574940

固体撮像装置

発明者： 中川 進次
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山口 邦夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-187763
公開番号（公開出願番号）：特開2000-022126
出願日： 1998年07月02日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：

【要約】【課題】 各々の光電変換素子から読み出される信号電荷による読み出し電圧を低下できるようにすると共に、当該固体撮像装置の消費電力を低減できるようにする。【解決手段】 複数のHADセンサD11〜D1m,Dnm・・・を二次元状に配置した半導体基板11と、この半導体基板11に基板電圧Vsubを供給する基板バイアス発生回路12と、この半導体基板11のHADセンサDnmから信号電荷を読み出して垂直方向に転送する垂直CCD部V1〜Vnと、この垂直転送された信号電荷を蓄積する電荷蓄積部A1〜Anと、この電荷蓄積部A1〜Anによる信号電荷を水平方向に転送する水平CCD部13と、この水平転送された信号電荷を出力する電荷検出部14とを備え、HADセンサから垂直CCDに信号電荷を読み出すときは、そのHADセンサから信号電荷を読み出さない場合の基板電圧に比べて低い基板電圧を半導体基板11に印加するようになされたものである。

請求項（抜粋）：

複数の光電変換素子を二次元状に配置した半導体基板と、前記半導体基板に基板バイアス用の電圧を供給する電圧供給部と、前記電圧供給部による電圧が印加された前記半導体基板の光電変換素子から信号電荷を読み出して所定の方向に転送する電荷転送部とを備え、前記電圧供給部は、少なくとも、前記光電変換素子から前記電荷転送部に信号電荷を読み出すときは、前記光電変換素子から信号電荷を読み出さない場合の電圧に比べて低い電圧を前記半導体基板に印加するようになされたことを特徴とする固体撮像装置。

IPC (2件)：

H01L 27/148 ,  H04N 5/335

FI (2件)：

H01L 27/14 B ,  H04N 5/335 Z

Fターム (23件)：

4M118AA04 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA12 ,  4M118BA13 ,  4M118CA04 ,  4M118DA03 ,  4M118DA32 ,  4M118DB11 ,  4M118FA06 ,  4M118FA13 ,  4M118FA26 ,  4M118FA35 ,  4M118FA50 ,  4M118GB11 ,  5C024AA01 ,  5C024CA00 ,  5C024FA01 ,  5C024FA11 ,  5C024GA15 ,  5C024GA16 ,  5C024GA17 ,  5C024GA44