特許

J-GLOBAL ID：200903044680208711

多重反射防止層を備えた半導体構造物及びその構造物を利用したPRパターンの形成方法及び半導体素子パターンの形成方法

発明者： 夏 政煥 ,  蔡 允淑 ,  趙 漢九 ,  姜 昌珍 ,  禹 相均 ,  柳 萬馨 ,  丁 榮載
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-208856
公開番号（公開出願番号）：特開2007-043167
出願日： 2006年07月31日
公開日（公表日）： 2007年02月15日
要約：

【課題】多重反射防止層を備えた半導体構造物及びその構造物を利用したPRパターンの形成方法及び半導体素子パターンの形成方法を提供する。【解決手段】パターンが形成される被エッチング層100と、被エッチング層100上に形成された炭素を含んだ第1マスク層210と、第1マスク層上に形成されたシリコンを含んだ第2マスク層220と、を備えた多重反射防止層200と、多重反射防止層200上に形成されたPRパターン300と、を備え、多重反射防止層200の反射率は、2%以下であり、PRパターン300と多重反射防止層200との界面角度が80°〜90°である半導体構造物である。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

パターンが形成される被エッチング層と、 前記被エッチング層上に形成された炭素を含んだ第1マスク層と、 前記第1マスク層上に形成されたシリコンを含んだ第2マスク層を備えた多重反射防止層と、 前記多重反射防止層上に形成されたPRパターンと、を備え、 前記多重反射防止層の反射率は、2%以下であり、前記PRパターンと前記多重反射防止層との界面角度が80°〜90°であることを特徴とする多重反射防止層を備えた半導体構造物。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  H01L 21/321 ,  G03F 7/11

FI (3件)：

H01L21/30 574 ,  H01L21/88 C ,  G03F7/11 503

Fターム (20件)：

2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AD05 ,  2H025DA34 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033HH28 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033WW00 ,  5F033WW02 ,  5F033WW04 ,  5F046PA02 ,  5F046PA11 ,  5F046PA13