特許

J-GLOBAL ID：200903044682543119

複合半導体基板及びその製造方法

発明者： 桜井 哲真 ,  清水 道正
出願人/特許権者： エヌ・ティ・ティ・エレクトロニクステクノロジー株式会社 ,  宇部興産株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-020735
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058197
出願日： 1993年01月14日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：

【要約】【目的】 低ダスト化に有利な基板端面のラウンディング形状を損なうことなく、外径寸法を保持するとともに、半導体基板どうしの位置ずれを防止する。【構成】 一の半導体基板21の一方の主面に形成された凹凸部に、この凹凸部とかみ合う他の半導体基板11の凸凹部を貼り合わせて構成される複合半導体基板であって、少なくとも、前記一の半導体基板21の主面上の前記他の半導体基板11が除去されている複合半導体基板。

請求項（抜粋）：

一の半導体基板の一方の主面に形成された凹凸部に、この凹凸部とかみ合う他の半導体基板の凸凹部を貼り合わせて構成される複合半導体基板であって、少なくとも、前記一の半導体基板の主面上の前記他の半導体基板が除去されている複合半導体基板。

IPC (3件)：

H01L 21/762 ,  H01L 21/02 ,  H01L 27/12