特許

J-GLOBAL ID：200903044687477777

絶縁ゲート形電界効果トランジスタ

発明者： 北平 康雄 ,  小池 理麿
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-283113
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121746
出願日： 1991年10月29日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：

【要約】【目的】 パワーMOSFETのアバランシェ耐量、絶縁ゲート形バイポーラトランジスタ(IGBT)のラッチアップ耐量を増大した、絶縁ゲート形電界効果トランジスタを提供する。【構成】 ドレイン領域を構成する半導体基板(1)に、チャネル領域(2)と、チャネル領域内のソース領域(3)と、該ソース領域とドレイン領域の導通を制御するゲート電極(5)と、半導体基板表面のソース領域及びチャネル領域と接続する金属電極(9)とを具備する縦型の絶縁ゲート形電界効果トランジスタにおいて、半導体基板表面のソース領域(3)及び該ソース領域とチャネル領域の接合(12)は、抵抗体(11)に覆われ、抵抗体(11)を介して、前記金属電極(9)と接続されている。

請求項（抜粋）：

ドレイン領域を構成する半導体基板に、チャネル領域と、該チャネル領域内のソース領域と、該ソース領域とドレイン領域の導通を制御する半導体基板上に設けられたゲート電極と、半導体基板表面のソース領域及びチャネル領域に接続する金属電極とを具備する縦型の絶縁ゲート形電界効果トランジスタにおいて、前記半導体基板表面のソース領域及び該ソース領域とチャネル領域の接合は、抵抗体に覆われ、該抵抗体を介して、前記金属電極と接続されていることを特徴とする絶縁ゲート形電界効果トランジスタ。