特許

J-GLOBAL ID：200903044688054128

化合物半導体結晶の製造方法

発明者： 小笠原 松幸 ,  今村 義宏
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 高山 敏夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-254373
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067576
出願日： 1991年09月06日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：

【要約】【目的】 III-V族化合物半導体結晶の製造において、In原料としてエチルジメチルインジウムを用いることによって、再現性を向上させ、As,P原料としてモノターシャリーブチルアルシンとモノターシャリーブチルフォスフィンを用いることによって装置の安全性を向上させること。【構成】 III族原料及びV族原料をそれぞれキャリアガスと共に反応容器に導入し、熱分解して、基板上にIII-V族化合物半導体結晶を気相成長する方法において、V族原料としてモノターシャリーブチルアルシン(C4 H9 AsH2 )とモノターシャリーブチルフォスフィン(C4 H9 PH2 )を用い、III族原料の一つとしてエチルジメチルインジウム(C2 H5 (CH3)2 In)を用いる化合物半導体結晶の製造方法。

請求項（抜粋）：

III族原料及びV族原料をそれぞれキャリアガスと共に反応容器に導入し、熱分解して、基板上にIII-V族化合物半導体結晶を気相成長する方法において、V族原料としてモノターシャリーブチルアルシン(C4 H9 AsH2 )とモノターシャリーブチルフォスフィン(C4 H9 PH2 )を用い、III族原料の一つとしてエチルジメチルインジウム(C2 H5 (CH3 )2 In)を用いることを特徴とする化合物半導体結晶の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C30B 23/02 ,  H01S 3/18