特許
J-GLOBAL ID：200903044691899554
受光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-279904
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121777
出願日： 1991年10月25日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、受光領域以外の部分に光が入射した場合でも、応答特性が劣化しない受光素子を得ることを目的とする。【構成】 第1導電型半導体基板(1)の表面上には第1導電型の半導体結晶層(2)が形成され、半導体結晶層(2)には第2導電型の第1の領域(3)が設けられている。第1の領域(3)は、さらに第2導電型の第2の領域(4)で囲まれている。半導体結晶層(2)の表面は、第1の領域(3)上に電極(5)が設けられ、その内側の第1の領域(3)上には反射防止膜(6)が、外側には素子保護膜(7)が形成されている。なお、半導体結晶層(2)上には、半導体結晶層(2)と第2の領域(4)とにそれぞれ接触するように金属膜(11)が設けられている。この構造により、不要な電荷を第2の領域(4)に捕獲し、さらに再結合・消滅させることができる。
請求項（抜粋）：
第1の導電型を示す半導体層の一部に第2の導電型を示す第1の領域を選択的に設けることによって形成されるpn接合部分を受光領域とした受光素子において、前記第1の領域は、前記半導体層の一部に形成された第2の導電型を示す第2の領域によって取り囲まれ、前記半導体層と前記第2の領域とは、導電体によって電気的に短絡されていることを特徴とする受光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/10 A
, H01L 27/14
