特許

J-GLOBAL ID：200903044695677882

半導体集積回路装置の製造装置および製造方法

発明者： 齋藤 達之 ,  山口 日出
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-179190
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007051
出願日： 1999年06月25日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：

【要約】【課題】 めっき法を用いて形成されたCu配線を有する半導体集積回路装置の歩留まりを向上する。【解決手段】 めっき用セル2に透明な覗き窓19a,19bを設けて、Cu成膜中の半導体ウエハ8の表面を直接観察し、また、めっき液13を採取することのできるサンプリングポート20を設けて、Cu成膜反応が起きている近傍のめっき液13を採取することによって、常にめっき液13の濃度を把握する。

請求項（抜粋）：

めっき中の半導体ウエハを目視することのできる透明な覗き窓が設けられためっき用セルを備えていることを特徴とする半導体集積回路装置の製造装置。

IPC (3件)：

H01L 21/288 ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/288 E ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/88 M

Fターム (47件)：

4K024AA09 ,  4K024AB01 ,  4K024AB02 ,  4K024AB15 ,  4K024BA11 ,  4K024BB12 ,  4K024CB01 ,  4K024CB02 ,  4K024CB03 ,  4K024CB24 ,  4K024CB26 ,  4K024GA16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104CC01 ,  4M104DD52 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104HH20 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033MM02 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ30 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR15 ,  5F033SS01 ,  5F033SS04 ,  5F033TT02 ,  5F033XX35