特許

J-GLOBAL ID：200903044701737531

半導体プラズマ処理装置の電極カバー

発明者： 辰己 良昭
出願人/特許権者： 株式会社創造科学 ,  有限会社宮田技研
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-085883
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250465
出願日： 1995年03月07日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】【目的】半導体プラズマ処理装置の電極カバーの外表面にごみが沈積するのを防止できる電極カバーの構造に関わる。【構成】カバー材の表面下に凹部を形成し、該凹部に良熱伝導性材料を埋入して熱の伝導路を形成してなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

カバー材の表面下に凹部を形成し、該凹部に良熱伝導性材料を埋入して熱の伝導路を形成してなることを特徴とする半導体プラズマ処理装置の電極カバー。