特許

J-GLOBAL ID：200903044703536576

絶縁ゲート型半導体装置のゲート酸化膜の製造方法

発明者： 山下 賢哉 ,  北畠 真 ,  横川 俊哉 ,  楠本 修 ,  高橋 邦方 ,  内田 正雄 ,  上野山 雄
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-019528
公開番号（公開出願番号）：特開2002-222945
出願日： 2001年01月29日
公開日（公表日）： 2002年08月09日
要約：

【要約】【課題】 半導体材料・炭化珪素の熱酸化で形成されるMOS構造において酸化膜中固定電荷及び酸化膜・炭化珪素間界面準位の低減を図る。【解決手段】 炭化珪素上に絶縁ゲート型電界効果トランジスタを形成する製造方法であって、熱酸化によるゲート酸化膜製造工程において、第一酸化工程と上記第一酸化工程における酸化温度よりも高い酸化温度による第二酸化工程を少なくとも含むことを特徴とする、絶縁ゲート型半導体装置のゲート酸化膜の製造方法である。

請求項（抜粋）：

炭化珪素上に絶縁ゲート型電界効果トランジスタを形成する製造方法であって、熱酸化によるゲート酸化膜製造工程において、第一酸化工程と上記第一酸化工程における酸化温度よりも高い酸化温度による第二酸化工程を少なくとも含むことを特徴とする、絶縁ゲート型半導体装置のゲート酸化膜の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/316

FI (3件)：

H01L 21/316 S ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 B

Fターム (11件)：

5F040DA19 ,  5F040DC02 ,  5F040ED00 ,  5F040FC05 ,  5F058BA20 ,  5F058BB10 ,  5F058BC02 ,  5F058BF56 ,  5F058BF63 ,  5F058BF80 ,  5F058BJ10