特許
J-GLOBAL ID：200903044704975654
半導体レーザとその製法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-092338
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090694
出願日： 1991年04月23日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：
【要約】【目的】劈開によらず、エッチングにより垂直・平滑な端面ミラーを得て、発振閾値が小さく集積化が容易な半導体レーザを得るのを目的とする。【構成】{111}面に垂直な面方位を有する(1-10)p-InP基板1上に、<-1-11>方向に沿って導波路ストライプを形成し、エッチングにより導波路両端に{111}面の端面ミラー9a、9bを形成する。
請求項（抜粋）：
一対の端面ミラーで光共振器を構成する半導体レーザにおいて、上記一対の端面ミラーが{111}結晶面であることを特徴とする半導体レーザ。
引用特許：
前のページに戻る
