特許

J-GLOBAL ID：200903044707361886

シリコン基板及びその製造方法

発明者： 西原 克浩
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-156904
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330199
出願日： 1995年05月30日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【構成】 酸素を含むシリコン基板11の表面11b近傍に1.0〜8.0×106 dyn/cm2 の引張応力が働いているシリコン基板11。【効果】 DZ層を形成するための特別の高温熱処理を施すことなく、シリコン基板11における表面荒れや不純物の混入をなくすことができると共に、LSIの製造過程で施される通常の熱処理の際、シリコン基板11の表面11b近傍に酸素析出やこれに伴う微小欠陥が発生するのを確実に抑制することができる。この結果、歩留りを高めてコストを削減することができ、高品質のLSIの安定的な生産を図ることができる。

請求項（抜粋）：

酸素を含むシリコン基板の表面近傍に1.0〜8.0×106 dyn/cm2 の圧縮応力が働いていることを特徴とするシリコン基板。

IPC (3件)：

H01L 21/02 ,  C30B 29/06 ,  H01L 21/322

FI (6件)：

H01L 21/02 B ,  C30B 29/06 B ,  H01L 21/322 Y ,  H01L 21/322 N ,  H01L 21/322 P ,  H01L 21/322 Q