特許

J-GLOBAL ID：200903044707428980

多結晶シリコン薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： 中西 史朗
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-042840
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249772
出願日： 1994年03月14日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：

【要約】【目的】効果的な水素化処理を施すことが可能な多結晶シリコン薄膜トランジスタを提供する。【構成】石英基板1上には能動層の多結晶シリコン膜2が形成され、その上にはゲート酸化膜3およびゲート電極5が形成されている。これらの全体表面には層間絶縁膜4が形成されている。多結晶シリコン膜2にはソース・ドレイン領域6が形成され、そのソース・ドレイン領域6は層間絶縁膜4に形成されたコンタクトホールを介してソース・ドレイン電極7と接続されている。これらの全体表面にはシリコン窒化膜8および非晶質シリコン膜9が形成されている。水素化処理時には、シリコン窒化膜8で非晶質シリコン膜9が覆われているため、シリコン窒化膜8からの外方拡散が防止されると共に、非晶質シリコン膜9からシリコン窒化膜8に水素が補給される。各膜8,9は、同じプラズマCVD装置内で条件を変えるだけで連続して形成することができる。

請求項（抜粋）：

窒化シリコン膜(8)で被覆された多結晶シリコン薄膜トランジスタにおいて、窒化シリコン膜上を非単結晶シリコン膜(9)で被覆したことを特徴とする多結晶シリコン薄膜トランジスタ。