特許
J-GLOBAL ID：200903044708304894
半導体磁器の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内田 敏彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-112035
公開番号（公開出願番号）：特開平6-287069
出願日： 1993年04月01日
公開日（公表日）： 1994年10月11日
要約：
【要約】【目的】電気的特性の異なる半導体磁器を簡単に製造すること。【構成】原料粉末を加圧成形して加圧成形体と成し、該加圧成形体を所定の条件下で焼成することにより半導体磁器を製造するに際し、加圧成形体の成形密度を変化させることによって、一種類の原料粉末から、電気的特性が異なる半導体磁器を得る。【効果】原料粉末の種類を変えることなく、成形密度を制御するだけで、所望の電気的特性を備えた半導体磁器を製造することができる。半導体磁器の多品種少量生産が可能である。
請求項（抜粋）：
複数種類の原材料を所定割合に配合したものを用いて所定粒度に調整した原料粉末を得たのち、これを加圧成形して加圧成形体と成し、該加圧成形体を所定の条件下で焼成することにより半導体磁器を製造する方法において、前記加圧成形体の成形密度を変化させることにより一種類の原料粉末から電気的特性が異なる半導体磁器を得ることを特徴とする半導体磁器の製造方法。
IPC (4件)：
C04B 35/64
, C04B 35/46
, H01G 4/12 418
, H01L 41/24
