特許

J-GLOBAL ID：200903044715917850

太陽電池およびその製造方法

発明者： 佐藤 ▲琢▼也 ,  根上 卓之 ,  橋本 泰宏
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-319994
公開番号（公開出願番号）：特開2005-086167
出願日： 2003年09月11日
公開日（公表日）： 2005年03月31日
要約：

【課題】 カルコパイライト結晶構造を有する半導体を光吸収層に用いた太陽電池において、特性が高い太陽電池、およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 基板11と、基板11上に基板11側から順に配置された第1の導電層13、光吸収層14および第2の導電層17とを備える。光吸収層14はIb族元素とIIIb族元素とVIb族元素とを含む化合物半導体からなる。基板11と第1の導電層13との間、第1の導電層13と光吸収層14との間、および光吸収層14と第2の導電層17との間から選ばれる少なくとも1つの層間に、Ia族元素とAlとを含む化合物層20を備える。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に前記基板側から順に配置された第1の導電層、光吸収層および第2の導電層とを備える太陽電池であって、 前記光吸収層がIb族元素とIIIb族元素とVIb族元素とを含む化合物半導体からなり、 前記基板と前記第1の導電層との間、前記第1の導電層と前記光吸収層との間、および前記光吸収層と前記第2の導電層との間から選ばれる少なくとも1つの層間に、Ia族元素とAlとを含む化合物層を備えることを特徴とする太陽電池。

IPC (1件)：

H01L31/04

FI (1件)：

H01L31/04 E

Fターム (17件)：

5F051AA07 ,  5F051AA10 ,  5F051BA14 ,  5F051BA15 ,  5F051CB12 ,  5F051CB14 ,  5F051CB24 ,  5F051CB29 ,  5F051CB30 ,  5F051DA03 ,  5F051FA02 ,  5F051FA04 ,  5F051FA13 ,  5F051FA15 ,  5F051GA02 ,  5F051GA03 ,  5F051GA05