特許

J-GLOBAL ID：200903044717355078

III-V族化合物半導体ウエハ

発明者： 澤田 滋 ,  森本 俊之
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-297082
公開番号（公開出願番号）：特開平9-139365
出願日： 1995年11月15日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：

【要約】【課題】 素子製造のプロセスにおける割れの発生が防止されたIII-V族化合物半導体ウエハを提供する。【解決手段】 2つの主面と端面との間に面取り部が形成されたGaAsからなる基材1と、その全外表面上に形成されたエピタキシャル層2とを備える。基材1をその厚さ方向に切断する面指数{011}断面上に現われる4つの面取り部の少なくとも1つの外形輪郭線上において、面指数{311}〜{331}の範囲にある面取り部の長さをLとすると、0<L≦150μmであることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

2つの主面と端面との間に面取り部が形成されたIII-V族化合物半導体ウエハであって、前記ウエハをその厚さ方向に切断する面指数{011}断面上に現われる4つの面取り部の少なくとも1つの外形輪郭線上において、面指数{311}〜{331}の範囲にある面取り部の長さをLとすると、0<L≦150μmであることを特徴とする、III-V族化合物半導体ウエハ。

IPC (2件)：

H01L 21/304 301 ,  H01L 21/02

FI (2件)：

H01L 21/304 301 B ,  H01L 21/02 B