特許
J-GLOBAL ID:200903044727315058

半導体装置製造工程における工程条件設定方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高月 猛
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-124778
公開番号(公開出願番号):特開平8-045804
出願日: 1995年05月24日
公開日(公表日): 1996年02月16日
要約:
【要約】【目的】 ロット単位で進む半導体装置製造工程においてロットごとのサンプリング工程を実施せずとも最適工程条件を設定可能で、人為的ミスを極力排除できるような工程条件設定方法を提供する。【構成】 直前のロットまでの工程条件を平均計算した計算値を、これから投入するロットの工程条件として設定する。例えばリソグラフィ工程の場合、感光膜塗布をプロセス101で実施した後、ステッパでウェーハごとに露光を行うプロセス102を実施する。このときに、前回までのロットの工程条件の平均計算値が工程条件として設定される。その後、現像プロセス103でパターン形成して検査プロセス104を実施する。そして、その結果に基づいて工程条件の変化を次のロットへ反映させるための工程条件再設定プロセス105を実施する。このプロセス105で当該ロットまでの工程条件の平均計算が行われ、次のロットのプロセス102へ適用される。
請求項(抜粋):
ロット単位で進められる半導体装置製造工程の各工程における工程条件設定方法であって、直前のロットまでの工程条件を平均計算した計算値を、これから工程に投入するロットの工程条件として設定するようにしたことを特徴とする工程条件設定方法。

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