特許
J-GLOBAL ID：200903044727516770
スチレン誘導体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
佐田 守雄 (外1名)
, 佐田 守雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-300493
公開番号（公開出願番号）：特開平8-157410
出願日： 1994年12月05日
公開日（公表日）： 1996年06月18日
要約：
【要約】【目的】 高密度集積回路プロセスに用いられるフォトレジスト材料の重合モノマーである各種の置換オキシスチレンを入手及び取扱いが容易な原料から操作簡易に高収量で製造することを目的とする。【構成】 〔化1〕で示されるベンズアルデヒド誘導体とジブロムメタンとを亜鉛金属と活性な塩化物との存在下で有機溶媒中で反応し〔化2〕で示されるスチレン誘導体の製造方法。【化1】(式中Rは、アルキル基、アルコキシアルキル基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、酸素原子を含む5又は6原子複素環基もしくはアルキルシリル基を表す)【化2】(式中Rは前記と同一意義を有す)
請求項（抜粋）：
一般式〔化1〕で示されるベンズアルデヒド誘導体とジブロムメタンとを亜鉛金属と活性な塩化物との存在下で有機溶媒中で反応させることを特徴とする一般式〔化2〕で示されるスチレン誘導体の製造方法。【化1】(式中Rは、アルキル基、アルコキシアルキル基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、酸素原子を含む5又は6原子複素環基もしくはアルキルシリル基を表す)【化2】(式中Rは前記と同一意義を有す)
IPC (12件)：
C07C 43/215
, B01J 31/02
, C07C 41/30
, C07C 67/293
, C07C 68/06
, C07C 69/157
, C07C 69/96
, C07D307/20
, C07D309/12
, C07F 7/18
, B01J 27/138
, C07B 61/00 300
