特許

J-GLOBAL ID：200903044748450958

半導体装置の製造方法

発明者： 原 昌輝
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-188623
公開番号（公開出願番号）：特開平11-031683
出願日： 1997年07月14日
公開日（公表日）： 1999年02月02日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、水分又は有機溶媒を含有する絶縁膜を高精度かつ容易に加工することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 LP-CVD法によりSi(CH3 )H3 とH2 O2 とを反応させて形成した層間絶縁膜としての低誘電SiO2 膜14を、ビアホールのパターンのレジスト16をマスクとして選択的にエッチングする際に、アニール処理を行うことなく膜中に大量の水分が含有されたままの状態でプラズマエッチングを行う。このとき、ビアホール18内に露出する低誘電SiO2 膜14側壁からは矢印20に表されるように大量のH2 Oがガスとなって脱離し、プラズマ中のラジカルが低誘電SiO2 膜14側壁に接近するのを阻害するため、ラジカルによる低誘電SiO2 膜14側壁の等方性エッチングが抑制されて、低誘電SiO2膜14側壁の断面形状が弓形になるボーイングの発生が防止される。

請求項（抜粋）：

基板上に水分又は有機溶媒を含有する絶縁膜を形成した後、所定パターンのレジストをマスクとして、前記絶縁膜の選択的なエッチングを行う半導体装置の製造方法であって、前記絶縁膜のアニール処理を行う前に、前記絶縁膜が水分又は有機溶媒を含有している状態において、前記絶縁膜をプラズマエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/3213

FI (4件)：

H01L 21/302 H ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/30 572 A ,  H01L 21/88 D