特許
J-GLOBAL ID：200903044749956065
不揮発性メモリ用のデュアル比較セル検知方式
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
江原 省吾
, 田中 秀佳
, 白石 吉之
, 城村 邦彦
, 熊野 剛
, 山根 広昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-166495
公開番号（公開出願番号）：特開2005-004872
出願日： 2003年06月11日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：
【課題】本発明は不揮発性メモリ用のデュアル比較セル検知方式を提供する。【解決手段】高電圧比較セルおよび低電圧比較セルが、メモリセル電圧と比較するための2つの別個の基準電圧を供給する2つのセンス増幅器のそれぞれに結合されている。この2つのセンス増幅器の出力は更に第2段のセンス増幅器に接続されて、メモリの状態が判定される。このデュアル比較セル検知方式では検知ウィンドウが広くなり、低電圧用途での性能が向上する。このデュアル比較セル検知方式は、電圧に基づくモード、電流に基づくモード、接地電位に基づくモード、の何れかで実施できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
高速の不揮発性メモリデバイスであって、
少なくとも1つのメモリセルと、
第1の比較セルと、
第2の比較セルと、
前記第1の比較セルおよび前記メモリセルに結合され、前記第1の比較セルおよび前記メモリセルの間の電圧差を判定する第1のセンス増幅器と、
前記第2の比較セルおよび前記メモリセルに結合され、前記第2の比較セルおよび前記メモリセルの間の電圧差を判定する第2のセンス増幅器と、
前記第1のセンス増幅器および前記第2のセンス増幅器に結合され、前記第1のセンス増幅器および前記第2のセンス増幅器の電圧差に基づいて前記メモリセルの状態を判定する第3のセンス増幅器と、を備えたメモリデバイス。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C17/00 634C
, G11C17/00 621A
5B025AA01
, 5B025AC01
, 5B025AD06
, 5B025AE05
