特許

J-GLOBAL ID：200903044751396212

近接センサ

発明者： 元氏 知史 ,  上田 建治
出願人/特許権者： オムロン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 由充
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-069677
公開番号（公開出願番号）：特開2003-273718
出願日： 2002年03月14日
公開日（公表日）： 2003年09月26日
要約：

【要約】【課題】 近接センサの高感度化を実現する。【解決手段】 励磁コイル2の内側にMI素子1を配置し、このMI素子1により金属体Fからの渦電流磁束Tを検出する。励磁用発振回路5は、励磁磁束Sに対して90度位相が遅れた渦電流磁束Tが発生するように、発振周波数が設定される。タイミング制御回路7は、この励磁用発振回路5からの励磁電流がゼロとなる時点を中心とする所定期間にサンプリングパルスを生成する。このサンプリングパルスに応じたゲート回路9および正負サンプルホールド回路10の動作により、パルスの出力期間におけるMI素子からの出力が積分される。この積分結果は差動増幅回路11において累積された後、コンパレータ12において、所定のしきい値と比較される。

請求項（抜粋）：

検出対象の金属体に励磁磁束を作用させるための励磁コイルと、前記励磁コイルに所定の位置関係をもって配置される磁気インピーダンス素子と、前記励磁コイルおよび磁気インピーダンス素子にそれぞれ接続される高周波発振回路と、前記励磁コイルに流れる電流が反転する時点を基準に磁気インピーダンス素子からの出力をサンプリングして金属体検出のための信号処理を実行する信号処理部とを具備して成る近接センサ。

Fターム (9件)：

5J050AA05 ,  5J050BB22 ,  5J050EE07 ,  5J050EE27 ,  5J050EE31 ,  5J050EE34 ,  5J050EE35 ,  5J050EE36 ,  5J050FF22