特許

J-GLOBAL ID：200903044754730210

混成集積回路

発明者： 豊田 祐二 ,  小林 真人 ,  田中 伸治 ,  吉野 幸夫
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 森下 武一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-067199
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264720
出願日： 1995年03月27日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】 比誘電率εr及びQが高く、かつ温度特性が優れている金属-絶縁体-金属構造のキャパシタを備えた混成集積回路を得る。【構成】 CRネットワーク1はアルミナ基板2の上面左側に抵抗部Rを配置し、右側にキャパシタ部Cを配置している。キャパシタ部Cには、広面積のTi膜4及びPd膜5と狭面積のTi膜8、Pd膜9及びAu膜10からなる下部電極12と、この下部電極12のPd膜5の上面を被覆した(Zr,Sn)TiO4からなる誘電体薄膜16と、この誘電体薄膜16を挟んで下部電極12に対向している狭面積のTi膜4及びPd膜5と広面積のTi膜8、Pd膜9及びAu膜10からなる上部電極14とが設けられている。誘電体薄膜16を間に挟んだ上部電極14と下部電極12とでキャパシタが形成されている。

請求項（抜粋）：

金属-絶縁体-金属構造のキャパシタを搭載し、このキャパシタの誘電体膜が(Zr,Sn)TiO4を主成分とした誘電体薄膜であることを特徴とする混成集積回路。

IPC (4件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  C01G 23/00 ,  C30B 29/32

FI (3件)：

H01L 27/04 C ,  C01G 23/00 C ,  C30B 29/32 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭60-232602
  
• 特開昭60-232602