特許

J-GLOBAL ID：200903044755278990

半導体装置

発明者： 森岡 宗知 ,  斎藤 信輔 ,  高橋 和也 ,  小林 孝維 ,  永田 眞人
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社 ,  三洋半導体株式会社
代理人 (1件)： ▲角▼谷 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-265388
公開番号（公開出願番号）：特開2008-085190
出願日： 2006年09月28日
公開日（公表日）： 2008年04月10日
要約：

【課題】従来の半導体装置では、ショットキーバリアダイオードのカソード領域でのシート抵抗値が低減し難いという問題があった。【解決手段】本発明の半導体装置では、N型の単結晶シリコン基板2上にN型のエピタキシャル層3が形成されている。エピタキシャル層3には、基板2に達するようにトレンチ6、7が形成され、トレンチ6、7は導電性金属15、16により埋設されている。そして、トレンチ6、7内の導電性金属15、16はカソード領域の電流経路として用いられる。この構造により、ショットキーバリアダイオード1のカソード領域でのシート抵抗値が低減される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

カソード領域として用いられる半導体層と、 前記半導体層の一主面側に形成されたカソード電極と、 前記半導体層の一主面側にショットキー接合するショットキーバリア用金属層と、 前記ショットキーバリア用金属層と接続するアノード電極とを有し、 前記半導体層には前記一主面側からトレンチが形成され、前記トレンチは導電性金属により埋設され、前記導電性金属は前記カソード電極と接続していることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/861

FI (3件)：

H01L29/48 F ,  H01L29/44 L ,  H01L29/91 C

Fターム (19件)：

4M104AA01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB14 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB25 ,  4M104BB26 ,  4M104BB27 ,  4M104BB28 ,  4M104CC01 ,  4M104DD19 ,  4M104FF02 ,  4M104FF27 ,  4M104FF35 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03 ,  4M104HH16

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-102561   出願人：株式会社ルネサステクノロジ