特許

J-GLOBAL ID：200903044756081708

半導体基板および半導体基板のそり矯正方法

発明者： 木藤 泰男 ,  北岡 英二
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 伊藤 洋二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-275133
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125905
出願日： 1996年10月17日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：

【要約】【課題】 エピタキシャル層を有する半導体基板のそりを低減する。【解決手段】 n+ 型単結晶SiCの半導体基板1の表面にn- 型エピタキシャル層2とp型エピタキシャル層3とが積層されたSiC基板100に、複数の溝4を形成する。この溝4は、図2(b)に示すように格子状に形成されている。この後、熱処理を行って、SiC基板100のそりを矯正する。

請求項（抜粋）：

半導体層上にエピタキシャル層が形成され、半導体素子が形成される前の状態の半導体基板であって、前記エピタキシャル層の表面に溝が形成され、熱処理によってそりが矯正された半導体基板。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  C30B 29/36 ,  H01L 29/16 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 29/78 652 T ,  C30B 29/36 Z ,  H01L 29/16 ,  H01L 29/78 653 C ,  H01L 29/78 658 Z