特許

J-GLOBAL ID：200903044756647612

光半導体用カバーガラス

発明者： 乾 武志 ,  三和 晋吉
出願人/特許権者： 日本電気硝子株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-383238
公開番号（公開出願番号）：特開2003-188450
出願日： 2001年12月17日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：

【要約】【課題】 青色等の短波長から近赤外に至る広い波長の半導体レーザー光を十分に透過し、着色等の材質劣化がない光半導体用カバーガラスを提供する。【解決手段】 本発明の光半導体用カバーガラスは、実質的にアルカリ金属酸化物を含まない多成分系の酸化物ガラスからなり、Fe3+の含有量がFe2O3換算値で0.03質量%以下であり、厚さが0.3mm以下での波長320nmおよび400nmの光透過率がそれぞれ70%以上、90%以上であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

実質的にアルカリ金属酸化物を含まない多成分系の酸化物ガラスからなり、Fe3+の含有量がFe2O3換算値で0.03質量%以下であり、厚さが0.3mm以下での波長320nmおよび400nmの光透過率がそれぞれ70%以上、90%以上であることを特徴とする光半導体用カバーガラス。

Fターム (4件)：

5F073AB25 ,  5F073BA05 ,  5F073EA28 ,  5F073FA30