特許
J-GLOBAL ID：200903044757277002
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-032739
公開番号（公開出願番号）：特開平5-199040
出願日： 1992年01月22日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：
【要約】【目的】 容易に作製可能でかつトランジスタの動作温度補償が完全に実施できる半導体装置を得る。【構成】 基板上にトランジスタと該トランジスタの温度補償回路を有する半導体装置において、上記トランジスタを構成するソース又はドレイン領域に隣接して設けられた、上記トランジスタのゲート電極Gと同一材料からなり、上記ゲート電極と同時に形成された温度補償用抵抗10を備えた構成とした。
請求項（抜粋）：
基板上にトランジスタと該トランジスタの温度補償回路を有する半導体装置において、上記トランジスタを構成するソース又はドレイン領域に隣接して設けられた、上記トランジスタのゲート電極と同一材料からなり、上記ゲート電極と同時に形成された温度補償用抵抗を備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H03F 1/30
, G01K 7/16
, H01L 27/04
, H03F 3/60
