特許
J-GLOBAL ID：200903044758241710

炭化珪素半導体装置及びその製造方法

発明者：
関 章憲

関 章憲 について

, 
宮城 恭輔

宮城 恭輔 について


出願人/特許権者：
トヨタ自動車株式会社

トヨタ自動車株式会社 について


代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-346644
公開番号（公開出願番号）：特開2007-157751
出願日： 2005年11月30日
公開日（公表日）： 2007年06月21日
要約：
【課題】チャネル形成領域でのキャリアの移動度が大きく、低オン抵抗で素子特性に優れた炭化珪素半導体装置及びその製造方法の提供。【解決手段】単結晶炭化珪素半導体基板12に設けられたゲート溝60の側面における少なくともベース層40及びドリフト層30の表面には、Si1-xAxC混晶(A:Ge,Sn 0<x<1)の薄膜からなるチャネル層70が設けられている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
単結晶炭化珪素基板上に第1導電型のバッファ層と第1導電型のドリフト層と第2導電型のベース層とがこの順に積層され、前記ベース層の表層部の所定領域に第1導電型のコンタクト層が形成された単結晶炭化珪素半導体基板と、 前記コンタクト層と前記ベース層とを貫通して前記ドリフト層に達するゲート溝と、 前記ゲート溝の側面における少なくとも前記ベース層及び前記ドリフト層の表面に形成されたSi1-xAxC混晶(A:Ge,Sn 0<x<1)の薄膜からなるチャネル層と、 少なくとも前記チャネル層の表面に形成されたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜の表面に形成されたゲート電極層と、 少なくとも前記コンタクト層の一部の表面に形成されたソース電極と、 前記単結晶炭化珪素半導体基板の前記バッファ層、前記ドリフト層及び前記ベース層が形成された面とは反対側の面に形成されたドレイン電極と、を備えた炭化珪素半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/336
FI (6件)：
H01L29/78 652T ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652E ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 652L ,  H01L29/78 658F
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 炭化珪素半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-229487   出願人：株式会社デンソー
審査官引用 (7件)
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