特許
J-GLOBAL ID：200903044761818220
スパッタリング装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐々木 聖孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-136406
公開番号（公開出願番号）：特開平7-316806
出願日： 1994年05月26日
公開日（公表日）： 1995年12月05日
要約：
【要約】[目的]投入電力の利用効率を向上させ、被処理体上に面内ほぼ均一な膜厚で、さらには良好な膜質で所望の膜を形成する。[構成]真空容器10内の上部に主ターゲット12および補助ターゲット18が配置され、容器10内の下部にウエハ載置台14が配置される。補助ターゲット18は、主ターゲット12の直ぐ下で、かつ主ターゲット12よりも外側で環状に延在する。主ターゲット12および補助ターゲット18にはそれぞれ直流電源13,15よりバイアス電圧-V0 ,-V1 が印加される。ターゲット12,18とウエハ載置台14との間には第1および第2のコリメータ22,24が配置される。第1コリメータ22はアース電位VF に接続され、第2コリメータ24には直流電源17よりバイアス電圧-V2 が印加される。
請求項（抜粋）：
真空容器内でターゲットにプラズマのイオンを衝突させ、そこからはじき飛ばされた粒子を被処理体の上に堆積させて膜を形成するスパッタリング装置において、前記被処理体と対向する位置に第1のターゲットを配置するとともに、前記第1のターゲットよりも前記被処理体に近い位置に前記第1のターゲットよりも外側で環状に延在する第2のターゲットを配置し、前記第1および第2のターゲットにそれぞれ第1および第2のバイアス電圧を印加することを特徴とするスパッタリング装置。
IPC (3件)：
C23C 14/34
, H01L 21/203
, H01L 21/285
