特許

J-GLOBAL ID：200903044767528950

リソグラフにおいてレジストの反射率を減少させる方法

発明者： チーアン ルー ,  シャオミン イン
出願人/特許権者： インフィニオン テクノロジーズ ノース アメリカ コーポレイション
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-375486
公開番号（公開出願番号）：特開2000-195791
出願日： 1999年12月28日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：

【要約】【目的】 レジストにおける反射率を減少させるための吸収特性と減殺的干渉特性とを組合せた抗反射膜によって重要寸法を改善する。【構成】 リソグラフにおけるレジストの反射率を減少させる方法において、吸収モードおよび減殺的干渉モードで動作する反射防止膜(ARC)を基板上に蒸着させ、かつレジスト層をARC上に蒸着させる。

請求項（抜粋）：

リソグラフにおけるレジストの反射率を減少させる方法において、吸収モードおよび減殺的干渉モードで動作する反射防止膜(ARC)を基板上に蒸着させることと、レジスト層をARC上に蒸着させること、とから成るリソグラフにおけるレジストの反射率を減少させる方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/11 503

FI (2件)：

H01L 21/30 574 ,  G03F 7/11 503