特許

J-GLOBAL ID：200903044768918077

素子分離膜の形成方法

発明者： ▲吉▼川 良一 ,  野田 昌敬
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-105442
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306677
出願日： 1995年04月28日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：

【要約】【目的】 ホワイトリボンの発生を抑制できる素子分離膜の形成方法を提供する。【構成】 基板11上にパッド酸化膜12を介して成膜した窒化シリコン膜13をパターニングし、窒化シリコン膜13からなる酸化防止マスク14を形成する。乾燥酸化によって酸化防止マスク14から露出する基板11の表面部分に酸化膜15を生成する。加湿酸化によって酸化膜15を成長させ、成長させた酸化膜15からなる素子分離膜15aを形成する。これによって、基板11表面を直接加湿雰囲気にさらすことなく、窒化シリコンを酸化防止マスク14にした加湿酸化によって素子分離膜15aが形成される。

請求項（抜粋）：

基板上に成膜した窒化シリコン膜をパターニングし、当該基板上に当該窒化シリコン膜からなる酸化防止マスクを形成する工程と、乾燥酸化によって前記酸化防止マスクから露出する前記基板の表面部分に酸化膜を生成する工程と、加湿酸化によって前記酸化膜を成長させて素子分離膜を形成する工程とを備えたことを特徴とする素子分離膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/76

FI (4件)：

H01L 21/94 A ,  H01L 21/316 S ,  H01L 21/318 A ,  H01L 21/76 M

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭61-131467
  
• 特開昭61-131467