特許

J-GLOBAL ID：200903044777235438

フォトダイオード

発明者： 永山 英樹 ,  母里 圭太郎
出願人/特許権者： 横河電機株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 正康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-293720
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144948
出願日： 1996年11月06日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：

【要約】【課題】 応答速度が向上されたフォトダイオードを提供する。【解決手段】 P型の基板と、基板上に設けられたN-型のエピタキシャル層と、エピタキシャル層上に設けられたP型の拡散層と、基板とエピタキシャル層との境に設けられたN+型の埋め込み拡散層と、エピタキシャル層に設けられN+型の埋め込み拡散層に接続するN+型の拡散層と、前記N+型の埋め込み拡散層の周囲設けられた第1のP型の接合分離拡散層とを具備するフォトダイオードにおいて、N+型の埋め込み拡散層と前記エピタキシャル層を分離するP型の埋め込み拡散層と、前記P型の拡散層の周囲に設けられエピタキシャル層の前記P型の拡散層の直下の部分とその他の部分とを分離する第2のP型の接合分離層とを具備し、前記P型の拡散層と前記第1,第2のP型の接合分離層とN+型拡散層とが同電位とされたことを特徴とするフォトダイオードである。

請求項（抜粋）：

P型の基板と、該基板上に設けられたN-型のエピタキシャル層と、該エピタキシャル層上に設けられたP型の拡散層と、前記基板と前記エピタキシャル層との境に設けられたN+型の埋め込み拡散層と、前記エピタキシャル層に設けられ前記N+型の埋め込み拡散層まで到達する深さに設けられたN+型の拡散層と、前記N+型の埋め込み拡散層の周囲に前記P型の基板まで到達する深さに前記エピタキシャル層に設けられた第1のP型の接合分離層とを具備するフォトダイオードにおいて、前記エピタキシャル層に設けられ前記N+型の埋め込み拡散層と前記エピタキシャル層を分離するP型の埋め込み拡散層と、前記P型の拡散層の周囲に設けられ該P型の埋め込み拡散層まで到達する深さに前記エピタキシャル層に設けられ該エピタキシャル層の前記P型の拡散層の直下の部分とその他の部分とを分離する第2のP型の接合分離層とを具備し、前記P型の拡散層と前記第1,第2のP型の接合分離層とN+型拡散層とが同電位とされたことを特徴とするフォトダイオード。