半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-175526
公開番号（公開出願番号）：特開平8-046186
出願日： 1994年07月27日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【構成】 Si基板1上に、SiO系材料よりなるゲート絶縁膜3、ゲート電極9、Al系配線層17が形成され、ゲート電極9上には該ゲート電極9と共通パターンをもってSiON系薄膜よりなる反射防止膜7が形成され、Al系配線層17上には該Al系配線層17と共通パターンをもってSiON系薄膜よりなる反射防止膜18が形成されてなるMOS型トランジスタにおいて、ゲート電極9は、ポリシリコン層4、チタンシリサイド層6、Ti層5から構成される。【効果】 Ti層5がSiON系薄膜から拡散する水素がゲート絶縁膜3へ到達するのを防止する。このため、ホットキャリア耐性が向上し、信頼性の高いMOS型トランジスタが得られる。また、製造に際して、SiON系薄膜の除去工程が削減でき、また、次のフォトリソグラフィにもこれを使用できることから生産性にも優れている。

請求項（抜粋）：

基板上に、少なくとも、ゲート絶縁膜、ゲート電極、酸窒化シリコン系薄膜、上層配線が形成されてなる半導体装置において、前記ゲート電極がチタン層を含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 21/28 301 , H01L 21/027 , H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 29/78 301 G , H01L 21/30 574 , H01L 21/88 R

前のページに戻る