特許

J-GLOBAL ID：200903044791433404

パターン形成方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置

発明者： 関口 敦
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-258965
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097442
出願日： 1997年09月24日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 アルミニウム配線等をパターニングするため反射防止膜を用いる場合にも、パターンの裾引き等が発生せず、寸法制御性に優れたパターン形成法を提供する。【解決手段】 基板10上にAlCu層11a、Ti層11b、TiN層11c及びTi層11dをこの順に積層したAl配線層11を形成する。このAl配線層11上に反射防止膜としてのSiON膜12aと、反応防止膜としてのSiO2膜12bを、両膜の膜厚の和が30nm以下になるように積層する。次にSiO2膜12b上にポジ型で化学増幅形のレジスト膜13を塗布形成し、レジスト膜上に所要のパターンに応じたフォトマスクを形成した後、KrFエキシマレーザビームを用いて露光し、レジスト膜13に所望線幅のパターンを形成するが、SiO2膜12bによりレジストパターンの裾引きの発生が抑制される。

請求項（抜粋）：

被加工膜上に形成されたマスク用感光性樹脂膜を露光して所定のパターンを形成するパターン形成方法において、前記被加工膜上に定在波効果抑制のための反射防止膜および化学的に安定した反応防止膜をこの順で形成し、前記反応防止膜上に化学増幅型の感光性樹脂膜を形成したのちに前記感光性樹脂膜への露光を行うことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

H01L 21/88 B ,  H01L 21/30 574 ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 N