特許

J-GLOBAL ID：200903044791819906

SOG材料の成膜方法及びSOG材料の成膜装置

発明者： 石川 良光
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-269253
公開番号（公開出願番号）：特開平10-098037
出願日： 1996年09月19日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：

【要約】【課題】後の工程において問題を生じない高品質のSOG膜を安定して成膜することを可能とするSOG材料の成膜方法を提供する。【解決手段】SOG材料の成膜方法は、(イ)半導体基板上にSOG材料を塗布する工程と、(ロ)該SOG材料を段階的に高い温度に加熱する工程から成る。尚、SOG材料を加熱する工程において、雰囲気の酸素濃度を制御することが好ましい。また、SOG材料の加熱を加熱用ランプにて行うことが望ましい。

請求項（抜粋）：

(イ)半導体基板上にSOG材料を塗布する工程と、(ロ)該SOG材料を段階的に高い温度に加熱する工程、から成ることを特徴とするSOG材料の成膜方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/316 G ,  H01L 21/316 P ,  H01L 21/31 A ,  H01L 21/90 R