特許
J-GLOBAL ID：200903044795986351
膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-192323
公開番号（公開出願番号）：特開2003-003120
出願日： 2001年06月26日
公開日（公表日）： 2003年01月08日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、低比誘電率の塗膜が得られ、かつ段差基板に対する埋め込み性の高い膜形成用組成物を得る半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、低比誘電率の塗膜が得られ、かつ段差基板に対する埋め込み性の高い膜形成用組成物に関する。【解決手段】 (A)アルコキシシラン化合物を加水分解、縮合して得られる加水分解縮合物、(B)下記一般式(4)で表される第1の有機溶媒ならびに(C)下記一般式(5)で表される第2の有機溶媒を含有することを特徴とする膜形成用組成物。
請求項（抜粋）：
(A)下記一般式(1)で表される化合物、下記一般式(2)で表される化合物および下記一般式(3)で表される化合物からなる群から選ばれた少なくとも1種の化合物を加水分解、縮合して得られる加水分解縮合物ならびに(B)下記一般式(4)で表される第1の有機溶媒ならびに(C)下記一般式(5)で表される第2の有機溶媒を含有することを特徴とする膜形成用組成物。Ra Si(OR2)4-a ・・・・・(1)(式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機基、R2は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。)Si(OR3)4 ・・・・・(2)(式中、R3は1価の有機基を示す。) R4b (R5O)3-b Si-(R8)d -Si(OR6)3-c R7c ・・・・・(3)〔式中、R4〜R7は同一または異なり、それぞれ1価の有機基、b〜cは同一または異なり、0〜2の整数、R8は酸素原子、フェニレン基または-(CH2 )n-で表される基(ここで、nは1〜6の整数である)、dは0または1を示す。〕R9OR110R10 ・・・・・(4)(R9およびR10は、それぞれ独立して水素原子、炭素数1〜4のアルキル基またはCH3CO-から選ばれる1価の有機基を示し、R11はアルキレン基を示す。)R12O(R140)2R13 ・・・・・(5)(R12およびR13は、それぞれ独立して水素原子、炭素数1〜4のアルキル基またはCH3CO-から選ばれる1価の有機基を示し、R14はアルキレン基を示す。)
IPC (3件)：
C09D183/04
, C09D183/02
, C09D183/08
C09D183/04
, C09D183/02
, C09D183/08
4J038DL021
, 4J038DL022
, 4J038DL031
, 4J038DL032
, 4J038DL071
, 4J038DL072
, 4J038JA25
, 4J038JA27
, 4J038JC38
, 4J038KA04
, 4J038KA06
, 4J038NA21
, 4J038PB09
, 4J038PC08
