特許
J-GLOBAL ID：200903044801446933
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-347712
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204334
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：
【要約】【目的】 活性層エッジの寄生トランジスタの発生を防止する。【構成】 絶縁膜20上の半導体層21のうちのNMOS領域に対し、窒化膜23、レジスト243aをマスクとしてボロンイオンの注入を回転斜め注入を用いて注入する。LOCOS法で素子分離が行われる領域近傍、即ちNMOSトランジスタの活性層となる半導体層21のエッジ領域にのみ3×1013/cm2 程度のボロンイオンを注入する。【効果】 LOCOS酸化後においてボロンイオンが酸化膜に吸い取られない程度まで不純物濃度が高められる。
請求項（抜粋）：
(a)半導体層と、(b)前記半導体層の下に形成され、前記半導体層の近傍において前記半導体層と比較して高い不純物濃度を有する絶縁膜と、を備える半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/76
, H01L 21/265
, H01L 21/316
, H01L 27/08 331
, H01L 29/784
H01L 21/265 V
, H01L 21/265 J
, H01L 21/94 A
, H01L 29/78 311 R
