特許
J-GLOBAL ID：200903044801532104
光半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-042364
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249836
出願日： 1994年03月14日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：
【要約】【目的】従来の II-VI族化合物半導体を用いた場合よりも、デバイス特性や信頼性の面で優れた光半導体装置を提供すること。【構成】n型InP基板1上に発光領域(クラッド層5,9、活性層7、光学ガイド層6,8)を備え、この発光領域がCax Cdy Zn1-x-y Sp Seq Te1-p-q (0≦x≦1,0≦y≦1,0≦1-x-y≦1,0≦p≦1,0≦q≦1,0≦1-p-q≦1)からなる材料で形成されていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基板上に発光領域を備え、この発光領域がCax Cdy Zn1-x-y Sp SeqTe1-p-q (0≦x≦1,0≦y≦1,0≦1-x-y≦1,0≦p≦1,0≦q≦1,0≦1-p-q≦1(組成比条件))からなる材料で形成されていることを特徴とする光半導体装置。
IPC (2件)：
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