特許
J-GLOBAL ID：200903044804793545
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-209256
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036378
出願日： 1995年07月25日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：
【要約】【目的】 アクティブマトリクス型の液晶表示装置において、周辺回路を高速動作可能な回路とする。【構成】 画素回路と周辺回路とが集積化されたアクティブマトリクス型の液晶表示装置において、周辺回路をPチャネル型とNチャネル型とをそれぞれ複数個直列にしたCMOS構造とする。こような構成とすることで、周辺回路の耐圧を高くすることができ、高速動作を行わすことができる。
請求項（抜粋）：
絶縁表面を有する基板上に集積化された構成であって、Pチャネル型の薄膜トランジスタを複数直列に接続した構成と、Nチャネル型の薄膜トランジスタを複数直列に接続した構成と、を有し、前記複数直列接続された構成の出力同士を接続し相補型の構成を有していることを特徴とする半導体装置。
FI (3件)：
H01L 29/78 613 A
, H01L 29/78 612 B
, H01L 29/78 614
