特許

J-GLOBAL ID：200903044809419560

埋込み絶縁層を有する接着ウェハ構造

発明者： クラウス・ディートリッヒ・バイヤー ,  チャン・ミン・シェ ,  ルイ・ル・チェン・シュ ,  デビッド・エドワード・コテキ ,  ツォーン・ディー・イエン
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 頓宮 孝一 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-111533
公開番号（公開出願番号）：特開平6-132184
出願日： 1993年05月13日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：

【要約】【目的】 格子不整合欠陥をほとんど有さず、最適な熱拡散性を有する絶縁トレンチ形成にも適したウェハ構造体を提供すること。【構成】 本発明の半導体デバイスを形成できるウェハ構造は第1及び第2のウェハからなっている。第1ウェハは底面に第1の薄い酸化物層を有する第1の基板からなっている。第2ウェハは頂面に絶縁層が形成されており、該絶縁層が前記第1ウェハの第1基板の熱膨張係数と合致する熱膨張係数を有しており、さらに高い熱伝導度を有している第2の基板からなっており、さらに絶縁層の頂面に形成された薄い酸化物層からなっていて、第1ウェハの第1の薄い酸化物層が第2ウェハの第2の薄い酸化物層に接着されている。

請求項（抜粋）：

底面に第1の酸化物層を有する、第1の基板からなる第1ウェハと、頂面に絶縁層及び第2の酸化物層を有し、高い熱伝導度を有している第2の基板からなる第2ウェハであって、前記絶縁層が前記第1ウェハの第1基板の熱膨張係数と合致する膨張係数を有しており、前記第2の酸化物層が前記絶縁層上に形成され、所定の厚さまで平坦化されている、第2ウェハとを有し、前記第1ウェハの第1の酸化物層が前記第2ウェハの第2の酸化物層に接着されることにより、前記第1ウェハと前記第2ウェハが接合された構造を有する、半導体デバイスを形成することのできるウェハ構造。

IPC (3件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/12