特許
J-GLOBAL ID：200903044823327288
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-284286
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121430
出願日： 1991年10月30日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：
【要約】【目的】 高い電流利得を有し、かつ製造の容易なGaInP/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)を提供する。【構成】 エミツタ層16を構成するGaInPとベース層14を構成するGaAsとの間に、組成グレーデッドAlGaAsエミツタ遷移層15を設ける。
請求項（抜粋）：
エミツタ層を構成するGaInPとベース層を構成するGaAsとの間に、組成グレーデッド遷移層を有するGaInP/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、上記組成グレーデッド遷移層はAlGaAsからなることを特徴とするGaInP/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
