特許

J-GLOBAL ID：200903044823554853

転写マスク用ブランクスおよび転写マスク

発明者： 高橋 進一
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-005578
公開番号（公開出願番号）：特開2000-206675
出願日： 1999年01月12日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【目的】メンブレンにパターンを形成した場合のパターンの反りがなく、パターン変形の原因となる引っ張り応力の小さな転写マスク用ブランク及び転写マスクを提供する。【解決手段】感応基板に転写すべきパターンが形成されるシリコン薄膜(シリコンメンブレン)を有する転写マスク用ブランクスにおいて、前記シリコン薄膜(シリコンメンブレン)中のボロン濃度が、略2×1019atoms/cm3〜5×1020atoms/cm3であり、かつ前記シリコン薄膜(シリコンメンブレン)中の深さ方向に対するボロン濃度分布のバラツキが略10%の範囲内であることを特徴とする転写マスク用ブランクス。

請求項（抜粋）：

感応基板に転写すべきパターンが形成されるシリコン薄膜(シリコンメンブレン)を有する転写マスク用ブランクスにおいて、前記シリコン薄膜(シリコンメンブレン)中のボロン濃度が、略2×1019atoms/cm3〜5×1020atoms/cm3であり、かつ前記シリコン薄膜(シリコンメンブレン)中の深さ方向に対するボロン濃度分布のバラツキが略10%の範囲内であることを特徴とする転写マスク用ブランクス。

IPC (3件)：

G03F 1/16 ,  G03F 1/14 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 1/16 B ,  G03F 1/16 A ,  G03F 1/14 B ,  H01L 21/30 531 M ,  H01L 21/30 541 S

Fターム (12件)：

2H095BA08 ,  2H095BB37 ,  2H095BC27 ,  5F046AA25 ,  5F046GD03 ,  5F046GD04 ,  5F046GD05 ,  5F046GD15 ,  5F046GD20 ,  5F056AA22 ,  5F056EA04 ,  5F056FA05