特許
J-GLOBAL ID：200903044825902069
CVD薄膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北村 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-319842
公開番号（公開出願番号）：特開平6-168884
出願日： 1992年11月30日
公開日（公表日）： 1994年06月14日
要約：
【要約】【目的】 複数の金属元素を含む酸化物薄膜を形成する場合に、膜組成が均一で安定したものを得ることができるとともに、例えばペロブスカイト型構造を得るための薄膜製造方法を得る。【構成】 複数種の金属化合物ガスg1と酸化性ガスg2とを薄膜形成室6内に供給し、薄膜形成室6内に配設された基板3上に複合金属酸化物薄膜4を形成するCVD薄膜形成方法において、レーザー光照射手段12を備え、レーザー光2からも薄膜形成用のエネルギーを供給する構成を採用したり、薄膜形成の最終段階において、複数種の金属化合物ガスg1のうち、金属酸化物の蒸気圧の高い一種もしくは複数種の有機金属化合物ガスの薄膜形成室6への供給を停止して、レーザー光のみで表面保護層40を形成して成膜を安定したものとする。
請求項（抜粋）：
複数種の金属化合物ガス(g1)と酸化性ガス(g2)とを薄膜形成室(6)内に供給し、前記薄膜形成室(6)内に配設された基板(3)上に複合金属酸化物薄膜(4)を形成するCVD薄膜形成方法であって、前記薄膜形成室(6)外から前記基板上の空間に向けてレーザー光(2)を導入し、前記レーザー光の有するエネルギー並びに光化学反応により複合金属酸化物薄膜を形成するCVD薄膜形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/40
, C23C 16/48
