特許

J-GLOBAL ID：200903044828389958

半導体装置の製造方法

発明者： 岡林 秀和 ,  遠藤 將一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 武田 正彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-227808
公開番号（公開出願番号）：特開平5-211238
出願日： 1992年08月05日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、緻密で且つ絶縁膜に十分に密着した新規な電極及び配線を備え、配線の製造歩留まりや信頼性の高い半導体装置を製造する。【構成】 基板上に形成された絶縁膜上に金属膜を堆積させ、或いはさらにパッシベーション膜を形成し、該堆積した金属膜或いはパッシベーション膜を常圧を超える圧力の静水圧で加圧することにより、膜の緻密化や絶縁膜との密着性を向上させ、高品質で且つ安定した配線又は電極を備える半導体装置を製造する。

請求項（抜粋）：

基板に形成された絶縁膜上に金属膜を堆積させ、該堆積した金属膜面を常圧を超える圧力の静水圧で加圧し、前記絶縁膜に密着させることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-174947
  
• 特開平1-128527
  
• 特開昭63-308350
  
• 特開平3-222332