特許

J-GLOBAL ID：200903044834788058

酸化物超電導膜及びその製造方法

発明者： 松野 繁 ,  梅村 敏夫 ,  内川 英興
出願人/特許権者： 超電導発電関連機器・材料技術研究組合
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-302156
公開番号（公開出願番号）：特開平8-157213
出願日： 1994年12月06日
公開日（公表日）： 1996年06月18日
要約：

【要約】【目的】 c軸配向の酸化物超電導体層が容易に得られ、金属基板からの金属元素の拡散を効果的に防止できる酸化物超電導膜及びその製造方法を得ることを目的とする。【構成】 金属基板1上には、金属層2、アモルファスセラミックス層3、結晶性セラミックス層4、及び酸化物超電導体層5が順次積層されている。なお、アモルファスセラミックス層3は、成膜した時点ではアモルファス状態である。結晶性セラミックス層4はa軸配向となり、その上部の酸化物超電導体層5はc軸配向となる。【効果】 臨界電流密度が高く、超電導特性特性の優れた酸化物超電導膜が得られる。

請求項（抜粋）：

金属基板と、この金属基板上に積層された金属層と、この金属層上に積層されたセラミックスバッファー層と、このセラミックスバッファー層上に積層された酸化物超電導体層とが順次積層された酸化物超電導膜であって、上記セラミックスバッファー層は、下層のアモルファスセラミックス層と上層の結晶性セラミックス層とから成ることを特徴とする酸化物超電導膜。

IPC (7件)：

C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C23C 14/08 ,  C23C 16/40 ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/22 ZAA