特許

J-GLOBAL ID：200903044836898705

金属層の形成方法

発明者： 田口 充
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-170785
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012684
出願日： 1998年06月18日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】 溝や接続孔内部に銅めっきのシード層をコンフォーマルに形成することが難しいため、電解めっき時に銅が安定的に成長せず、ボイドが発生したり密着性が不十分になって、銅めっき層が剥がれるという問題を起こしていた。【解決手段】 金属層の形成方法は、絶縁膜1に形成した凹部2の底部に露出させた金属部3の一部を、スパッタリングにより凹部3の側壁に付着させてカバリッジ層4を形成する工程と、凹部3の内壁にカバリッジ層4を覆う状態に金属めっきのシード層5を形成する工程とを備えていることに特徴がある。

請求項（抜粋）：

絶縁膜に形成した凹部の底部に露出させた金属部の一部を、スパッタリングにより該凹部の側壁に付着させてカバリッジ層を形成する工程と、前記凹部の内壁にシード層を形成する工程とを備えたことを特徴とする金属層の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/288

FI (2件)：

H01L 21/90 A ,  H01L 21/288 E

Fターム (37件)：

4M104BB04 ,  4M104BB30 ,  4M104DD04 ,  4M104DD08 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD28 ,  4M104DD37 ,  4M104DD52 ,  4M104DD75 ,  4M104FF13 ,  4M104HH01 ,  4M104HH08 ,  4M104HH13 ,  4M104HH16 ,  5F033AA04 ,  5F033AA05 ,  5F033AA09 ,  5F033AA15 ,  5F033AA29 ,  5F033AA54 ,  5F033AA64 ,  5F033AA72 ,  5F033BA15 ,  5F033BA17 ,  5F033BA25 ,  5F033BA35 ,  5F033BA37 ,  5F033BA43 ,  5F033BA46 ,  5F033DA12 ,  5F033DA28 ,  5F033EA03 ,  5F033EA19 ,  5F033EA25 ,  5F033EA28 ,  5F033EA33