特許
J-GLOBAL ID：200903044836937964
ショットキー障壁形成用電極とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-155061
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354817
出願日： 1998年06月03日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：
【要約】【課題】 高温下においても、III-V族窒化物系化合物半導体層に高いショットキー障壁ハイトを形成せしめ、また前記半導体層との密着性も優れ、更にはAuリード線との接続時における接触抵抗も小さくなるショットキー障壁形成用電極とその製造方法を提供する。【解決手段】 この電極Gは、III-V族窒化物系化合物半導体層2の上に、Pt層G1,Ti層G2,Au層G3をこの順序で積層して形成されている。
請求項（抜粋）：
III-V族窒化物系化合物半導体層の上に形成され、Pt層とTi層とAu層とをこの順序で積層して成ることを特徴とするショットキー障壁形成用電極。
IPC (4件)：
H01L 29/872
, H01L 29/12
, H01L 21/338
, H01L 29/812
H01L 29/48 H
, H01L 29/12
, H01L 29/80 F
