半導体レーザ素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：寒川誠一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-065822
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283476
出願日： 1994年04月04日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】基板と反対側の面に形成される電極の上面を平坦にし、この面にジャンクションダウンボンディング方式を使用してヒートシンクを接着した場合、接着が良好で放熱特性を良好にする半導体レーザ素子を提供する。【構成】活性層5を挟んで形成される上下のクラッド層のいづれか一方に接し、ストライプに対応する領域を除いた領域に形成され、クラッド層の禁制帯幅より大きな禁制帯幅を有し、接して形成されるクラッド層と同一導電型の半導体層よりなる電流阻止層を有する半導体レーザ素子である。

請求項（抜粋）：

活性層(5)と、該活性層(5)を挟んで形成される上下のクラッド層(6)(4)と、該上下のクラッド層(6)(4)のいづれか一方に接するかまたは該上下のクラッド層(6)(4)のいづれか一方の中にこれに平行に埋設されるかし、ストライプに対応する領域を除いた領域に形成され、前記クラッド層(6)(4)の禁制帯幅より大きな禁制帯幅を有する半導体層よりなる電流阻止層(2)とを有することを特徴とする半導体レーザ素子。

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